Хагас дамжуулагч элементүүдийн элементийн суурь байнга нэмэгдэж байна. Энэ чиглэлийн шинэ бүтээл бүр нь үнэндээ цахим системийн талаархи санааг бүхэлд нь өөрчилдөг. Хэлхээний дизайны боломжууд өөрчлөгдөж, тэдгээрт суурилсан шинэ төхөөрөмжүүд гарч ирж байна. Анхны транзисторыг (1948) зохион бүтээснээс хойш маш их цаг хугацаа өнгөрчээ. "p-n-p" ба "n-p-n" бүтэц, хоёр туйлт транзисторыг зохион бүтээсэн. Цаг хугацаа өнгөрөхөд цахилгаан талбайн нөлөөн дор гадаргуугийн ойролцоох хагас дамжуулагч давхаргын цахилгаан дамжуулах чанарыг өөрчлөх зарчмаар ажилладаг MIS транзистор гарч ирэв. Тиймээс энэ элементийн өөр нэр нь талбар юм.
MIS (металл-диэлектрик-хагас дамжуулагч) гэсэн товчлол нь энэ төхөөрөмжийн дотоод бүтцийг тодорхойлдог. Үнэн хэрэгтээ түүний хаалга нь ус зайлуулах суваг, эх үүсвэрээс нимгэн дамжуулагчгүй давхаргаар тусгаарлагдсан байдаг. Орчин үеийн MIS транзистор нь хаалганы урт нь 0.6 микрон байна. Зөвхөн цахилгаан соронзон орон түүгээр дамжин өнгөрөх боломжтой - энэ нь хагас дамжуулагчийн цахилгаан төлөвт нөлөөлдөг.
FET хэрхэн ажилладагийг харцгаая, түүний гол ялгаа нь юу болохыг олж мэдье.хоёр туйлт "ах". Шаардлагатай потенциал гарч ирэх үед түүний хаалган дээр цахилгаан соронзон орон гарч ирнэ. Энэ нь ус зайлуулах эх үүсвэрийн уулзварын эсэргүүцэлд нөлөөлдөг. Энэ төхөөрөмжийг ашиглахын зарим давуу талууд энд байна.
- Нээлттэй төлөвт ус зайлуулах эх үүсвэрийн шилжилтийн эсэргүүцэл маш бага бөгөөд MIS транзисторыг цахим түлхүүр болгон амжилттай ашиглаж байна. Жишээлбэл, энэ нь ачааллыг маневрлах замаар үйлдлийн өсгөгчийг жолоодох эсвэл логик хэлхээнд оролцох боломжтой.
- Мөн анхаарал татахуйц зүйл бол төхөөрөмжийн өндөр оролтын эсэргүүцэл юм. Энэ параметр нь бага гүйдлийн хэлхээнд ажиллахад ихээхэн хамааралтай.
- Ус зайлуулах эх үүсвэрийн уулзварын бага багтаамж нь MIS транзисторыг өндөр давтамжийн төхөөрөмжид ашиглах боломжтой болгодог. Процессын явцад дохио дамжуулахад гажуудал байхгүй.
- Элементүүдийг үйлдвэрлэх шинэ технологийг хөгжүүлснээр талбайн болон хоёр туйлт элементүүдийн эерэг чанарыг хослуулсан IGBT транзисторуудыг бий болгоход хүргэсэн. Тэдгээр дээр суурилсан цахилгаан модулиудыг зөөлөн асаагуур болон давтамж хувиргагчид өргөн ашигладаг.
Эдгээр элементүүдийг зохион бүтээх, ажиллахдаа MIS транзисторууд нь хэлхээний хэт хүчдэл болон статик цахилгаанд маш мэдрэмтгий байдгийг анхаарч үзэх хэрэгтэй. Өөрөөр хэлбэл, хяналтын терминалуудад хүрэх үед төхөөрөмж бүтэлгүйтэж магадгүй юм. Суулгах, буулгахдаа тусгай газардуулга ашиглана.
Энэ төхөөрөмжийг ашиглах хэтийн төлөв маш сайн байна. Баярлалааөвөрмөц шинж чанараараа энэ нь янз бүрийн электрон төхөөрөмжид өргөн хэрэглэгддэг. Орчин үеийн электроникийн шинэлэг чиг хандлага бол индукцийн хэлхээг оролцуулан янз бүрийн хэлхээнд ажиллахад зориулсан IGBT тэжээлийн модулиудыг ашиглах явдал юм.
Үйлдвэрлэлийн технологи нь байнга сайжирч байна. Хөшигний уртыг багасгах (багасгах) хөгжүүлэлт хийгдэж байна. Энэ нь төхөөрөмжийн аль хэдийн сайн байсан гүйцэтгэлийг сайжруулах болно.
